Изображението е за справка, моля свържете се с нас, за да получите реалната картина

SIHJ10N60E-T1-GE3

Номер на част на производителя:	SIHJ10N60E-T1-GE3
Производител:	Vishay / Siliconix
Част от описанието:	MOSFET N-CH 600V 10A PPAK SO-8
Листове с данни:	SIHJ10N60E-T1-GE3 Листове с данни
Статус без олово / Статус на RoHS:	Без олово / Съвместим с RoHS
Състояние на склад:	В наличност
Доставка от:	Hong Kong
Начин на доставка:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЗАБЕЛЕЖКА: Vishay / Siliconix SIHJ10N60E-T1-GE3 се предлага на chipnets.com. Ние продаваме само нови и оригинални части и предлагаме 1 година гаранция. Ако искате да научите повече за продуктите или да приложите по-добра цена, моля, свържете се с нас, щракнете върху онлайн чат или ни изпратете оферта.

Всички компоненти на Eelctronics ще бъдат опаковани много безопасно чрез ESD антистатична защита.

package

Спецификация

Тип	Описание
Серия	E
Пакет	Tube
Състояние на частта	Active
FET тип	N-Channel
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Изтичане към източника на напрежение (Vdss)	600 V
Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C	10A (Tc)
Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	360mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Зареждане на порта (Qg) (макс.) @ Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs (макс.)	±30V
Входящ капацитет (Ciss) (Max) @ Vds	784 pF @ 100 V
Функция FET	-
Разсейване на мощността (макс.)	89W (Tc)
Работна температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип на монтажа	Surface Mount
Пакет с устройства на доставчика	PowerPAK® SO-8
Опаковка / калъф	8-PowerTDFN

ОПЦИИ ЗА КУПУВАНЕ

Състояние на наличността: 1535

Минимум: 1

количество	Единична цена	Вн. Цена
Цената не е налична, моля RFQ

Изчисление на товари

40 долара от FedEx.

Пристигане след 3-5 дни

Експрес: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Безплатна доставка за първите 0,5 кг за поръчки над 150 $, наднорменото тегло ще се таксува отделно

Популярни модели

Този артикул е добавен към вашата количка.