Изображението е за справка, моля свържете се с нас, за да получите реалната картина

RQ3E080BNTB

Номер на част на производителя:	RQ3E080BNTB
Производител:	ROHM Semiconductor
Част от описанието:	MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Листове с данни:	RQ3E080BNTB Листове с данни
Статус без олово / Статус на RoHS:	Без олово / Съвместим с RoHS
Състояние на склад:	В наличност
Доставка от:	Hong Kong
Начин на доставка:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЗАБЕЛЕЖКА: ROHM Semiconductor RQ3E080BNTB се предлага на chipnets.com. Ние продаваме само нови и оригинални части и предлагаме 1 година гаранция. Ако искате да научите повече за продуктите или да приложите по-добра цена, моля, свържете се с нас, щракнете върху онлайн чат или ни изпратете оферта.

Всички компоненти на Eelctronics ще бъдат опаковани много безопасно чрез ESD антистатична защита.

package

Спецификация

Тип	Описание
Серия	-
Пакет	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Състояние на частта	Active
FET тип	N-Channel
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Изтичане към източника на напрежение (Vdss)	30 V
Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C	8A (Ta)
Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15.2mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Зареждане на порта (Qg) (макс.) @ Vgs	14.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)	±20V
Входящ капацитет (Ciss) (Max) @ Vds	660 pF @ 15 V
Функция FET	-
Разсейване на мощността (макс.)	2W (Ta)
Работна температура	150°C (TJ)
Тип на монтажа	Surface Mount
Пакет с устройства на доставчика	8-HSMT (3.2x3)
Опаковка / калъф	8-PowerVDFN

ОПЦИИ ЗА КУПУВАНЕ

Състояние на наличността: 1208

Минимум: 1

количество	Единична цена	Вн. Цена
Цената не е налична, моля RFQ

Изчисление на товари

40 долара от FedEx.

Пристигане след 3-5 дни

Експрес: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Безплатна доставка за първите 0,5 кг за поръчки над 150 $, наднорменото тегло ще се таксува отделно

Популярни модели

Този артикул е добавен към вашата количка.