Microsemi / 2N6796
Изображението е за справка, моля свържете се с нас, за да получите реалната картина
2N6796
| Номер на част на производителя: | 2N6796 |
| Производител: | Microsemi |
| Част от описанието: | MOSFET N-CH 100V 8A TO39 |
| Статус без олово / Статус на RoHS: | Без олово / Съвместим с RoHS |
| Състояние на склад: | В наличност |
| Доставка от: | Hong Kong |
| Начин на доставка: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ЗАБЕЛЕЖКА
- Microsemi 2N6796 се предлага на chipnets.com. Ние продаваме само нови и оригинални части и предлагаме 1 година гаранция. Ако искате да научите повече за продуктите или да приложите по-добра цена, моля, свържете се с нас, щракнете върху онлайн чат или ни изпратете оферта.
Всички компоненти на Eelctronics ще бъдат опаковани много безопасно чрез ESD антистатична защита.
Спецификация
| Тип | Описание |
|---|---|
| Серия | - |
| Пакет | Bulk |
| Състояние на частта | Obsolete |
| FET тип | N-Channel |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Изтичане към източника на напрежение (Vdss) | 100 V |
| Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C | 8A (Tc) |
| Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250mA |
| Зареждане на порта (Qg) (макс.) @ Vgs | 6.34 nC @ 10 V |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Входящ капацитет (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Функция FET | - |
| Разсейване на мощността (макс.) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| Работна температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип на монтажа | Through Hole |
| Пакет с устройства на доставчика | TO-39 |
| Опаковка / калъф | TO-205AF Metal Can |
Състояние на наличността: Доставка в същия ден
Минимум: 1
| количество | Единична цена | Вн. Цена |
|---|---|---|
Цената не е налична, моля RFQ |
||
Изчисление на товари
40 долара от FedEx.
Пристигане след 3-5 дни
Експрес: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Безплатна доставка за първите 0,5 кг за поръчки над 150 $, наднорменото тегло ще се таксува отделно
Добавено в количката!
Този артикул е добавен към вашата количка.