Изображението е за справка, моля свържете се с нас, за да получите реалната картина

GA10JT12-263

Номер на част на производителя:	GA10JT12-263
Производител:	GeneSiC Semiconductor
Част от описанието:	TRANS SJT 1200V 25A
Листове с данни:	GA10JT12-263 Листове с данни
Статус без олово / Статус на RoHS:	Без олово / Съвместим с RoHS
Състояние на склад:	В наличност
Доставка от:	Hong Kong
Начин на доставка:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЗАБЕЛЕЖКА: GeneSiC Semiconductor GA10JT12-263 се предлага на chipnets.com. Ние продаваме само нови и оригинални части и предлагаме 1 година гаранция. Ако искате да научите повече за продуктите или да приложите по-добра цена, моля, свържете се с нас, щракнете върху онлайн чат или ни изпратете оферта.

Всички компоненти на Eelctronics ще бъдат опаковани много безопасно чрез ESD антистатична защита.

package

Спецификация

Тип	Описание
Серия	-
Пакет	Tube
Състояние на частта	Active
FET тип	-
Технология	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Изтичане към източника на напрежение (Vdss)	1200 V
Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C	25A (Tc)
Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120mOhm @ 10A
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Зареждане на порта (Qg) (макс.) @ Vgs	-
Vgs (макс.)	-
Входящ капацитет (Ciss) (Max) @ Vds	1403 pF @ 800 V
Функция FET	-
Разсейване на мощността (макс.)	170W (Tc)
Работна температура	175°C (TJ)
Тип на монтажа	Surface Mount
Пакет с устройства на доставчика	-
Опаковка / калъф	-

ОПЦИИ ЗА КУПУВАНЕ

Състояние на наличността: 170

Минимум: 1

количество	Единична цена	Вн. Цена
Цената не е налична, моля RFQ

Изчисление на товари

40 долара от FedEx.

Пристигане след 3-5 дни

Експрес: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Безплатна доставка за първите 0,5 кг за поръчки над 150 $, наднорменото тегло ще се таксува отделно

Популярни модели

	GA100JT17-227 GeneSiC Semiconductor
	GA10SICP12-263 GeneSiC Semiconductor
	GA10JT12-247 GeneSiC Semiconductor
	GA10JT12-263 GeneSiC Semiconductor
	GA100JT12-227 GeneSiC Semiconductor

Този артикул е добавен към вашата количка.