Изображението е за справка, моля свържете се с нас, за да получите реалната картина

RM4N650TI

Номер на част на производителя:	RM4N650TI
Производител:	Rectron USA
Част от описанието:	MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO220F
Статус без олово / Статус на RoHS:	Без олово / Съвместим с RoHS
Състояние на склад:	В наличност
Доставка от:	Hong Kong
Начин на доставка:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЗАБЕЛЕЖКА: Rectron USA RM4N650TI се предлага на chipnets.com. Ние продаваме само нови и оригинални части и предлагаме 1 година гаранция. Ако искате да научите повече за продуктите или да приложите по-добра цена, моля, свържете се с нас, щракнете върху онлайн чат или ни изпратете оферта.

Всички компоненти на Eelctronics ще бъдат опаковани много безопасно чрез ESD антистатична защита.

package

Спецификация

Тип	Описание
Серия	-
Пакет	Tube
Състояние на частта	Active
FET тип	N-Channel
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Изтичане към източника на напрежение (Vdss)	650 V
Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C	4A (Tc)
Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Зареждане на порта (Qg) (макс.) @ Vgs	-
Vgs (макс.)	±30V
Входящ капацитет (Ciss) (Max) @ Vds	280 pF @ 50 V
Функция FET	-
Разсейване на мощността (макс.)	28.5W (Tc)
Работна температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип на монтажа	Through Hole
Пакет с устройства на доставчика	TO-220F
Опаковка / калъф	TO-220-3 Full Pack

ОПЦИИ ЗА КУПУВАНЕ

Състояние на наличността: Доставка в същия ден

Минимум: 1

количество	Единична цена	Вн. Цена
Цената не е налична, моля RFQ

Изчисление на товари

40 долара от FedEx.

Пристигане след 3-5 дни

Експрес: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Безплатна доставка за първите 0,5 кг за поръчки над 150 $, наднорменото тегло ще се таксува отделно

Популярни модели

Този артикул е добавен към вашата количка.