Изображението е за справка, моля свържете се с нас, за да получите реалната картина

IGT60R190D1SATMA1

Номер на част на производителя:	IGT60R190D1SATMA1
Производител:	IR (Infineon Technologies)
Част от описанието:	GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF
Листове с данни:	IGT60R190D1SATMA1 Листове с данни
Статус без олово / Статус на RoHS:	Без олово / Съвместим с RoHS
Състояние на склад:	В наличност
Доставка от:	Hong Kong
Начин на доставка:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЗАБЕЛЕЖКА: IR (Infineon Technologies) IGT60R190D1SATMA1 се предлага на chipnets.com. Ние продаваме само нови и оригинални части и предлагаме 1 година гаранция. Ако искате да научите повече за продуктите или да приложите по-добра цена, моля, свържете се с нас, щракнете върху онлайн чат или ни изпратете оферта.

Всички компоненти на Eelctronics ще бъдат опаковани много безопасно чрез ESD антистатична защита.

package

Спецификация

Тип	Описание
Серия	CoolGaN™
Пакет	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Състояние на частта	Active
FET тип	N-Channel
Технология	GaNFET (Gallium Nitride)
Изтичане към източника на напрежение (Vdss)	600 V
Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C	12.5A (Tc)
Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	1.6V @ 960µA
Зареждане на порта (Qg) (макс.) @ Vgs	-
Vgs (макс.)	-10V
Входящ капацитет (Ciss) (Max) @ Vds	157 pF @ 400 V
Функция FET	-
Разсейване на мощността (макс.)	55.5W (Tc)
Работна температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип на монтажа	Surface Mount
Пакет с устройства на доставчика	PG-HSOF-8-3
Опаковка / калъф	8-PowerSFN

ОПЦИИ ЗА КУПУВАНЕ

Състояние на наличността: 50

Минимум: 1

количество	Единична цена	Вн. Цена
Цената не е налична, моля RFQ

Изчисление на товари

40 долара от FedEx.

Пристигане след 3-5 дни

Експрес: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Безплатна доставка за първите 0,5 кг за поръчки над 150 $, наднорменото тегло ще се таксува отделно

Популярни модели

	IGT60R190D1SATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IGT60R070D1ATMA1 IR (Infineon Technologies)

Този артикул е добавен към вашата количка.